商品型号: CEH2321
制造厂商: CET(华瑞)
封装规格: TSOP-6
商品毛重: 0.04g
商品编号: CY693135
数据手册:
在线预览
商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 P沟道,20V,4.8A,55mΩ@4.5V
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货3346(3000起订)
数 量: X ¥9.3209
总 价: ¥9.32
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
¥9.3209
10+
¥9.2678
30+
¥9.2147
100+
¥9.1616
500+
¥9.1085
1000+
¥9.0554
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W | |
类型 | P沟道 |
CEH2321由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEH2321价格参考¥9.320900。CET(华瑞)CEH2321封装/规格:TSOP-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 P沟道,20V,4.8A,55mΩ@4.5V
手机版:CEH2321
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件