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CEH2321

商品型号: CEH2321

制造厂商: CET(华瑞)

封装规格: TSOP-6

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY693135

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 P沟道,20V,4.8A,55mΩ@4.5V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 P沟道,20V,4.8A,55mΩ@4.5V

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CEH2321由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEH2321价格参考¥9.320900。CET(华瑞)CEH2321封装/规格:TSOP-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 P沟道,20V,4.8A,55mΩ@4.5V

手机版:CEH2321