商品型号: VBE5415
制造厂商: VBsemi(台湾微碧)
封装规格: TO252-4L
商品毛重: 2.40g
商品编号: CY856859
数据手册:
在线预览
商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,30V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):108W 类型:N沟道和P沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货7478(2500起订)
数 量: X ¥9.402
总 价: ¥9.40
包 装:「圆盘 / 2500」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
¥9.402
10+
¥9.3359
30+
¥9.2698
100+
¥9.2037
500+
¥9.1376
1000+
¥9.0688
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 50A | |
类型 | N沟道和P沟道 |
VBE5415由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBE5415价格参考¥9.402000。VBsemi(台湾微碧)VBE5415封装/规格:TO252-4L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,30V @ 250uA 漏源导通电阻:14mΩ @ 38A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):108W 类型:N沟道和P沟道
手机版:VBE5415
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件