商品型号： CSD87334Q3DT
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： VSON-8
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY900647
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 12A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6W 类型：双N沟道(半桥) CSD87334Q3D CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块
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价格
1+
￥8.5909
10+
￥8.4945
30+
￥8.3956
100+
￥8.2967
500+
￥8.1978
1000+
￥8.0989
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 6W | |
| 类型 | 双N沟道(半桥) |
CSD87334Q3DT由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD87334Q3DT价格参考￥8.590900。TI(德州仪器)CSD87334Q3DT封装/规格：VSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：- 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 12A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6W 类型：双N沟道(半桥) CSD87334Q3D CSD87334Q3D 同步降压 NexFET 电源块
手机版：CSD87334Q3DT
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