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CJ3439KDW

商品型号： CJ3439KDW

制造厂商： CJ(江苏长电长晶)

封装规格： SOT-363

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY193701

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA,660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道双沟道，N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V；P沟道：-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
最大功率耗散（Ta=25°C）	-
类型	N沟道和P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA,660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道双沟道，N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V；P沟道：-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

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CJ3439KDW由CJ(江苏长电长晶)设计生产,在芯云购商城现货销售,CJ3439KDW价格参考￥1.305100。CJ(江苏长电长晶)CJ3439KDW封装/规格：SOT-363,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA,660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道双沟道，N沟道20V,0.75A,380mΩ@4.5V；P沟道：-20V,-0.66A,520mΩ@-4.5V

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