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VBA4338

商品型号: VBA4338

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SO-8

商品毛重: 0.37g

商品编号: CY016689

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-30V,-6.6A,32mΩ@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-30V,-6.6A,32mΩ@10V

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VBA4338由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA4338价格参考¥9.345600。VBsemi(台湾微碧)VBA4338封装/规格:SO-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W(Tc) 类型:双P沟道 P+P沟道,-30V,-6.6A,32mΩ@10V

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