商品型号： HSH90P06
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-263
商品毛重： 2.61g
商品编号： CY016256
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.0V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥9.465
10+
￥9.3888
30+
￥9.3126
100+
￥9.2364
500+
￥9.1576
1000+
￥9.0788
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | P沟道 |
HSH90P06由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSH90P06价格参考￥9.465000。HUASHUO(华朔)HSH90P06封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.0V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W 类型：P沟道
手机版：HSH90P06
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