商品型号： G1006LE
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： SOT-23-3L
商品毛重： 0.07g
商品编号： CY094811
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
5+
￥9.484
50+
￥9.4052
150+
￥9.3264
500+
￥9.2448
2500+
￥9.1632
5000+
￥9.0816
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
G1006LE由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G1006LE价格参考￥9.484000。GOFORD(谷峰)G1006LE封装/规格：SOT-23-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W(Tc) 类型：N沟道
手机版：G1006LE
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监