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HSH8004

商品型号: HSH8004

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: TO-263

商品毛重: 1.64g

商品编号: CY184206

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):175A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥4.03

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 80V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):175A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道

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HSH8004由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSH8004价格参考¥4.034900。HUASHUO(华朔)HSH8004封装/规格:TO-263,连续漏极电流(Id)(25°C 时):175A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):192W 类型:N沟道

手机版:HSH8004