商品型号： VBA3102M
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SO-8
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY415424
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：187mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道 N+N沟道,100V,3A,187mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | 双N沟道 |
VBA3102M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBA3102M价格参考￥2.339500。VBsemi(台湾微碧)VBA3102M封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：187mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道 N+N沟道,100V,3A,187mΩ@10V
手机版：VBA3102M
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