商品型号： CEU6861
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY421218
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：132mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,60V,12A,132mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
CEU6861由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEU6861价格参考￥2.381200。CET(华瑞)CEU6861封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：132mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,60V,12A,132mΩ@10V
手机版：CEU6861
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