商品型号： VBZA9936
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SO-8
商品毛重： 0.30g
商品编号： CY999046
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：双N沟道 N+N沟道,30V,6A,26mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | 双N沟道 |
VBZA9936由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBZA9936价格参考￥2.516800。VBsemi(台湾微碧)VBZA9936封装/规格：SO-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：双N沟道 N+N沟道,30V,6A,26mΩ@10V
手机版：VBZA9936
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