商品型号： KNG3703A
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： DFN3x3
商品毛重： 0.05g
商品编号： CY964101
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A | |
| 类型 | N沟道 |
KNG3703A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNG3703A价格参考￥9.539700。KIA 半导体KNG3703A封装/规格：DFN3x3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：28W 类型：N沟道
手机版：KNG3703A
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