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MTE050N15BRV8

商品型号： MTE050N15BRV8

制造厂商： 3PEAK

封装规格： DFN 3x3

商品毛重： 0.06g

商品编号： CY741505

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道 150V/12.4A@TC=25℃,4.3A@Ta=25℃/N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	150V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道 150V/12.4A@TC=25℃,4.3A@Ta=25℃/N沟道

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MTE050N15BRV8由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MTE050N15BRV8价格参考￥5.104000。3PEAKMTE050N15BRV8封装/规格：DFN 3x3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：21W(Tc) 类型：N沟道 150V/12.4A@TC=25℃,4.3A@Ta=25℃/N沟道

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