商品型号： VBJ1201K
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.34g
商品编号： CY787534
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 580mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 N沟道,200V,1A,1.1Ω@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A | |
| 类型 | N沟道 |
VBJ1201K由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBJ1201K价格参考￥2.170900。VBsemi(台湾微碧)VBJ1201K封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 580mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道 N沟道,200V,1A,1.1Ω@10V
手机版：VBJ1201K
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