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ZXMHC3A01T8TA

商品型号: ZXMHC3A01T8TA

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SM-8

商品毛重: 0.40g

商品编号: CY154019

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A,2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道和双P沟道(H桥) 30V,2个N 通道和2 个P 通道(H 桥)

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A,2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道和双P沟道(H桥) 30V,2个N 通道和2 个P 通道(H 桥)

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ZXMHC3A01T8TA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMHC3A01T8TA价格参考¥2.195400。DIODES(美台)ZXMHC3A01T8TA封装/规格:SM-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.7A,2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道和双P沟道(H桥) 30V,2个N 通道和2 个P 通道(H 桥)

手机版:ZXMHC3A01T8TA