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AP30P30Q

商品型号: AP30P30Q

制造厂商: ALLPOWER(铨力)

封装规格: DFN3*3

商品毛重: 0.05g

商品编号: CY977907

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-30A,10mΩ@-10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-30A,10mΩ@-10V

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AP30P30Q由ALLPOWER(铨力)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP30P30Q价格参考¥9.129900。ALLPOWER(铨力)AP30P30Q封装/规格:DFN3*3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-30A,10mΩ@-10V

手机版:AP30P30Q