商品型号： G30N04D3
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： DFN3×3-8L
商品毛重： 0.08g
商品编号： CY873316
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19.8W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
G30N04D3由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G30N04D3价格参考￥6.408600。GOFORD(谷峰)G30N04D3封装/规格：DFN3×3-8L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：95mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19.8W(Tc) 类型：N沟道
手机版：G30N04D3
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