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2SK3476(TE12L,Q

商品型号： 2SK3476(TE12L,Q

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： 2-5N1A

商品毛重： 0.17g

商品编号： CY595626

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W 类型：N沟道 RF用途,N沟道,20V,3A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3A
栅源极阈值电压	-
漏源导通电阻	-
最大功率耗散（Ta=25°C）	20W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W 类型：N沟道 RF用途,N沟道,20V,3A

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手机版：2SK3476(TE12L,Q