BSS192PH6327FTSA1

商品型号： BSS192PH6327FTSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-89(SOT-89-3)

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY809582

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190mA 漏源电压（Vdss）：-250V 栅源极阈值电压：2V @ 130uA 漏源导通电阻：12Ω @ 190mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道,250V,190mA,12Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190mA 漏源电压（Vdss）：-250V 栅源极阈值电压：2V @ 130uA 漏源导通电阻：12Ω @ 190mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道,250V,190mA,12Ω@10V

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BSS192PH6327FTSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS192PH6327FTSA1价格参考￥7.164200。Infineon(英飞凌)BSS192PH6327FTSA1封装/规格：SOT-89(SOT-89-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190mA 漏源电压（Vdss）：-250V 栅源极阈值电压：2V @ 130uA 漏源导通电阻：12Ω @ 190mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道,250V,190mA,12Ω@10V

手机版：BSS192PH6327FTSA1