商品型号: AP8600S
制造厂商: APEC(富鼎)
封装规格: TO-263
商品毛重: 2.00g
商品编号: CY037932
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥5.292
10+
¥5.245
30+
¥5.198
100+
¥5.1485
500+
¥5.099
1000+
¥5.0495
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
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¥25.00
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封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
类型 | N沟道 |
AP8600S由APEC(富鼎)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP8600S价格参考¥5.292000。APEC(富鼎)AP8600S封装/规格:TO-263,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):104W(Tc) 类型:N沟道
手机版:AP8600S
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