商品型号： G08N06S
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： SOP-8
商品毛重： 0.42g
商品编号： CY186038
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道 |
G08N06S由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G08N06S价格参考￥1.311000。GOFORD(谷峰)G08N06S封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道
手机版：G08N06S
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