商品型号： HY3215B
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 2.33g
商品编号： CY933117
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.399
10+
￥1.3334
30+
￥1.2678
100+
￥1.2022
500+
￥1.1366
1000+
￥1.0683
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
HY3215B由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY3215B价格参考￥1.399000。HUAYI(华羿微)HY3215B封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY3215B
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监