商品型号： RZR040P01TL
制造厂商： ROHM(罗姆)
封装规格： TSMT-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY382204
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：30mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道,-20V,-2.5A,72mΩ@-4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | -12V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | |
| 类型 | P沟道 |
RZR040P01TL由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RZR040P01TL价格参考￥6.419700。ROHM(罗姆)RZR040P01TL封装/规格：TSMT-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：30mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道 P沟道,-20V,-2.5A,72mΩ@-4.5V
手机版：RZR040P01TL
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