商品型号： FCD260N65S3
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-252-3
商品毛重： 0.09g
商品编号： CY613224
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.2mA 漏源导通电阻：260mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
FCD260N65S3由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCD260N65S3价格参考￥4.051800。ON(安森美)FCD260N65S3封装/规格：TO-252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.2mA 漏源导通电阻：260mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FCD260N65S3
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