商品型号： CSD17585F5
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： Picostar-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY665260
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.7V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 900mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 CSD17585F5 30V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 LGA 0.8x1.5、33mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 500mW | |
| 类型 | N沟道 |
CSD17585F5由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD17585F5价格参考￥5.188800。TI(德州仪器)CSD17585F5封装/规格：Picostar-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.7V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 900mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 CSD17585F5 30V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 LGA 0.8x1.5、33mΩ
手机版：CSD17585F5
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