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BSC160N10NS3 G Infineon英飞凌 BSC160N10NS
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BSC160N10NS3 G Infineon英飞凌 BSC160N10NS

商品型号: BSC160N10NS

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TDSON-8

商品毛重: 0.90g

商品编号: CY250016

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商品描述: BSC160N10NS 21+ PG-TDSON-8

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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商品目录 MOS(场效应管)

连续漏极电流(Id)(25°C 时):42A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 33uA 漏源导通电阻:16mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V

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BSC160N10NS由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC160N10NS价格参考¥5.000000。Infineon(英飞凌)BSC160N10NS封装/规格:PG-TDSON-8,BSC160N10NS 21+ PG-TDSON-8

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