商品型号： HY19P03B
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 1.60g
商品编号： CY830922
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥5.5202
10+
￥5.4343
30+
￥5.3484
100+
￥5.2625
500+
￥5.1766
1000+
￥5.0883
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | P沟道 |
HY19P03B由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY19P03B价格参考￥5.520200。HUAYI(华羿微)HY19P03B封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W(Tc) 类型：P沟道
手机版：HY19P03B
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