商品型号： NTMS7N03R2G
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.21g
商品编号： CY726878
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
NTMS7N03R2G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMS7N03R2G价格参考￥6.572100。ON(安森美)NTMS7N03R2G封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW 类型：N沟道
手机版：NTMS7N03R2G
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