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NTMS7N03R2G

商品型号: NTMS7N03R2G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: SOIC-8_150mil

商品毛重: 0.21g

商品编号: CY726878

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):800mW 类型:N沟道

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总   价: ¥6.57

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):800mW 类型:N沟道

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NTMS7N03R2G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMS7N03R2G价格参考¥6.572100。ON(安森美)NTMS7N03R2G封装/规格:SOIC-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):800mW 类型:N沟道

手机版:NTMS7N03R2G