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NVTFS5116PLTAG

商品型号： NVTFS5116PLTAG

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： WDFN8

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY763322

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：P沟道 P沟道 60V 6A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	6A
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：P沟道 P沟道 60V 6A

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NVTFS5116PLTAG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVTFS5116PLTAG价格参考￥6.241800。ON(安森美)NVTFS5116PLTAG封装/规格：WDFN8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：52mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：P沟道 P沟道 60V 6A

手机版：NVTFS5116PLTAG