商品型号： LP0404N3T5G
制造厂商： LRC(乐山无线电)
封装规格： SOT-883
商品毛重： 0.01g
商品编号： CY360402
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 780mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道 P沟道,20V,1.4A,480mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | P沟道 |
LP0404N3T5G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,LP0404N3T5G价格参考￥3.289500。LRC(乐山无线电)LP0404N3T5G封装/规格：SOT-883,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 780mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：P沟道 P沟道,20V,1.4A,480mΩ@4.5V
手机版：LP0404N3T5G
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