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FCB070N65S3

商品型号： FCB070N65S3

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： D2-PAK

商品毛重： 1.69g

商品编号： CY199829

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1mA 漏源导通电阻：70mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W 类型：N沟道 N沟道,650V,44A,70mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1mA 漏源导通电阻：70mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W 类型：N沟道 N沟道,650V,44A,70mΩ@10V

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FCB070N65S3由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCB070N65S3价格参考￥8.041000。ON(安森美)FCB070N65S3封装/规格：D2-PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：44A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1mA 漏源导通电阻：70mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312W 类型：N沟道 N沟道,650V,44A,70mΩ@10V

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