商品型号： VB3222
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TSOP-6
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY060070
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W(Tc) 类型：双N沟道 N+N沟道,20V,4.8A,22mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道 |
VB3222由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB3222价格参考￥9.380200。VBsemi(台湾微碧)VB3222封装/规格：TSOP-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 3.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W(Tc) 类型：双N沟道 N+N沟道,20V,4.8A,22mΩ@4.5V
手机版：VB3222
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