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JCS640RH-O-R-N-A

商品型号： JCS640RH-O-R-N-A

制造厂商：吉林华微

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.46g

商品编号： CY827558

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 类型：N沟道 N沟道, 200V, 18A, 0.15欧姆@Vgs=10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
最大功率耗散（Ta=25°C）	140W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 类型：N沟道 N沟道, 200V, 18A, 0.15欧姆@Vgs=10V

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JCS640RH-O-R-N-A由吉林华微设计生产,在芯云购商城现货销售,JCS640RH-O-R-N-A价格参考￥5.019200。吉林华微JCS640RH-O-R-N-A封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 类型：N沟道 N沟道, 200V, 18A, 0.15欧姆@Vgs=10V

手机版：JCS640RH-O-R-N-A