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NTMFS6H801NT1G

商品型号： NTMFS6H801NT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： DFN5

商品毛重： 0.40g

商品编号： CY695107

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,80V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	80V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,80V

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NTMFS6H801NT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFS6H801NT1G价格参考￥9.038700。ON(安森美)NTMFS6H801NT1G封装/规格：DFN5,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,80V

手机版：NTMFS6H801NT1G