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NTMFS6H801NT1G

商品型号: NTMFS6H801NT1G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: DFN5

商品毛重: 0.40g

商品编号: CY695107

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,80V

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 80V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,80V

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NTMFS6H801NT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFS6H801NT1G价格参考¥9.038700。ON(安森美)NTMFS6H801NT1G封装/规格:DFN5,连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,80V

手机版:NTMFS6H801NT1G