商品型号: NTMFS6H801NT1G
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: DFN5
商品毛重: 0.40g
商品编号: CY695107
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,80V
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品牌: ST(意法半导体)
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | N沟道 |
NTMFS6H801NT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTMFS6H801NT1G价格参考¥9.038700。ON(安森美)NTMFS6H801NT1G封装/规格:DFN5,连续漏极电流(Id)(25°C 时):23A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.8W 类型:N沟道 N沟道,80V
手机版:NTMFS6H801NT1G
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