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FQA13N80-F109

商品型号： FQA13N80-F109

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-3PN

商品毛重： 7.00g

商品编号： CY152778

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.6A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	800V
栅源极阈值电压	5V @ 250uA
最大功率耗散（Ta=25°C）	300W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.6A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道

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FQA13N80-F109由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQA13N80-F109价格参考￥2.268400。ON(安森美)FQA13N80-F109封装/规格：TO-3PN,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.6A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道

手机版：FQA13N80-F109