商品型号： 1N65G-AA3-R
制造厂商： 3PEAK
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.26g
商品编号： CY698298
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：8W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
1N65G-AA3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,1N65G-AA3-R价格参考￥7.295600。3PEAK1N65G-AA3-R封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：8W(Tc) 类型：N沟道
手机版：1N65G-AA3-R
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