商品型号： LPM2302B3F
制造厂商： LOWPOWER(微源半导体)
封装规格： SOT23-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY260726
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 20V N沟道MOS
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.5A | |
| 类型 | N沟道 |
LPM2302B3F由LOWPOWER(微源半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LPM2302B3F价格参考￥7.141300。LOWPOWER(微源半导体)LPM2302B3F封装/规格：SOT23-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 20V N沟道MOS
手机版：LPM2302B3F
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