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BSH202,215

商品型号: BSH202,215

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY015961

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):520mA 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.9V @ 1mA 漏源导通电阻:900mΩ @ 280mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):417mW 类型:P沟道 P沟道,-30V,-0.52A,1.35Ω@-10V

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):520mA 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.9V @ 1mA 漏源导通电阻:900mΩ @ 280mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):417mW 类型:P沟道 P沟道,-30V,-0.52A,1.35Ω@-10V

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BSH202,215由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSH202,215价格参考¥8.162000。Nexperia(安世)BSH202,215封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):520mA 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.9V @ 1mA 漏源导通电阻:900mΩ @ 280mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):417mW 类型:P沟道 P沟道,-30V,-0.52A,1.35Ω@-10V

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