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G16P03

商品型号: G16P03

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: DFN 3x3-8

商品毛重: 0.10g

商品编号: CY596703

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-16A,10.6mΩ@-10V

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商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 16A
最大功率耗散(Ta=25°C) 35W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-16A,10.6mΩ@-10V

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G16P03由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G16P03价格参考¥1.291600。GOFORD(谷峰)G16P03封装/规格:DFN 3x3-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):35W 类型:P沟道 P沟道,-30V,-16A,10.6mΩ@-10V

手机版:G16P03