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RU6888S-R

商品型号： RU6888S-R

制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.15g

商品编号： CY195399

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，68V，88A，6mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，68V，88A，6mΩ@10V

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RU6888S-R由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU6888S-R价格参考￥1.395600。Ruichips(锐骏半导体)RU6888S-R封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：88A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道，68V，88A，6mΩ@10V

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