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DMN53D0LQ-7

商品型号: DMN53D0LQ-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SOT-23

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY763338

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道

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总   价: ¥10.16

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 50V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 500mA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道

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DMN53D0LQ-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN53D0LQ-7价格参考¥2.031400。DIODES(美台)DMN53D0LQ-7封装/规格:SOT-23,连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.6Ω @ 500mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道

手机版:DMN53D0LQ-7