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IRF8734TRPBF

商品型号： IRF8734TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.17g

商品编号： CY456280

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 50uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	2.5W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 50uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

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IRF8734TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF8734TRPBF价格参考￥3.189900。Infineon(英飞凌)IRF8734TRPBF封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 50uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 21A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

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