商品型号： WSD3020DN
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN3x3-8-8
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY160009
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：14W(Tc) 类型：双N沟道 双N沟道.30V.21A.17mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道 |
WSD3020DN由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD3020DN价格参考￥7.501400。WINSOK微硕WSD3020DN封装/规格：DFN3x3-8-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：19mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：14W(Tc) 类型：双N沟道 双N沟道.30V.21A.17mΩ
手机版：WSD3020DN
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