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RUM002N05MGT2L

商品型号： RUM002N05MGT2L

制造厂商： ROHM(罗姆)

封装规格： SOT-723

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY174124

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道 50V 200mA

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	200mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	150mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道 50V 200mA

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RUM002N05MGT2L由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RUM002N05MGT2L价格参考￥9.567000。ROHM(罗姆)RUM002N05MGT2L封装/规格：SOT-723,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：2.2Ω @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道 N沟道 50V 200mA

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