商品型号： CSD17304Q3
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： VSON-CLIP-8
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY859397
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 17A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 CSD17304Q3 30V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 SON3x3、8.8mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 15A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD17304Q3由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD17304Q3价格参考￥4.108000。TI(德州仪器)CSD17304Q3封装/规格：VSON-CLIP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 17A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：N沟道 CSD17304Q3 30V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 SON3x3、8.8mΩ
手机版：CSD17304Q3
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