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JST60N30T2

商品型号: JST60N30T2

制造厂商: JESTEK(吉思泰)

封装规格: TO-252-2L

商品毛重: 0.46g

商品编号: CY927267

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N沟道 30V 60A

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N沟道 30V 60A

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JST60N30T2由JESTEK(吉思泰)设计生产,在芯云购商城现货销售,JST60N30T2价格参考¥5.031200。JESTEK(吉思泰)JST60N30T2封装/规格:TO-252-2L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道 N沟道 30V 60A

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