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HSCA2030

商品型号: HSCA2030

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: DFN3*3

商品毛重: 0.09g

商品编号: CY035649

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:双N沟道(共漏)

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
类型 双N沟道(共漏)
连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:双N沟道(共漏)

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HSCA2030由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSCA2030价格参考¥1.071700。HUASHUO(华朔)HSCA2030封装/规格:DFN3*3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):56A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:5.8mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W 类型:双N沟道(共漏)

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