商品型号: WFD7N65L
制造厂商: Winsemi(稳先微)
封装规格: TO-252
商品毛重: 0.46g
商品编号: CY829506
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
WFD7N65L由Winsemi(稳先微)设计生产,在芯云购商城现货销售,WFD7N65L价格参考¥7.345600。Winsemi(稳先微)WFD7N65L封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.45Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道
手机版:WFD7N65L
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