商品型号： HY1106S
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： SOP-8_150mil
商品毛重： 0.19g
商品编号： CY972486
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,13mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
HY1106S由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1106S价格参考￥7.034800。HUAYI(华羿微)HY1106S封装/规格：SOP-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,11A,13mΩ@10V
手机版：HY1106S
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