商品型号： CS2N65A4
制造厂商： 华润华晶
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY431580
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,2A,3.9Ω@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
CS2N65A4由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS2N65A4价格参考￥1.096500。华润华晶CS2N65A4封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,2A,3.9Ω@10V
手机版：CS2N65A4
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